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TH511 半導(dǎo)體C-V特性分析儀簡(jiǎn)介

更新時(shí)間:2023-08-08點(diǎn)擊次數(shù):698
  • 簡(jiǎn)介

  • TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì),針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。

    儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì),二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測(cè)試,無(wú)需頻繁切換接線及設(shè)置參數(shù),單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測(cè)試,適用于生產(chǎn)線快速測(cè)試、自動(dòng)化集成。

    CV曲線掃描分析能力亦能滿足實(shí)驗(yàn)室對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件的研發(fā)及分析。

    儀器設(shè)計(jì)頻率為1kHz-2MHz,VGS電壓可達(dá)±40V,VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V,足以滿足大多數(shù)功率器件測(cè)試。

    image.png

    功能特點(diǎn)

     

    A.一體化測(cè)試,集成度高、體積小、效率高

    一臺(tái)儀器內(nèi)置了LCR數(shù)字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機(jī)軟件,將復(fù)雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統(tǒng)內(nèi),操作更簡(jiǎn)單。特別適合產(chǎn)線快速化、自動(dòng)化測(cè)試。

    B.單管器件測(cè)試,10.1寸大屏,四種寄生參數(shù)同屏顯示,讓細(xì)節(jié)一覽無(wú)遺

    MOSFET或IGBT最重要的四個(gè)寄生參數(shù):Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測(cè)試,10.1寸大屏可同時(shí)將測(cè)量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示,一目了然。

    一鍵測(cè)試單管器件器件時(shí),無(wú)需頻繁切換測(cè)試腳位、測(cè)量參數(shù)、測(cè)量結(jié)果,大大提高了測(cè)試效率。

    image.png

    C.列表測(cè)試,多個(gè)、多芯、模組器件測(cè)量參數(shù)同屏顯示

    TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測(cè)試,所有測(cè)量參數(shù)通過(guò)列表掃描模式同時(shí)顯示測(cè)試結(jié)果及判斷結(jié)果。

    D.曲線掃描功能(選件)

    在MOSFET的參數(shù)中,CV特性曲線也是一個(gè)非常重要的指標(biāo),如下圖

    image.png

    TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析,可以以對(duì)數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描,可同時(shí)顯示多條曲線:同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。

    E.接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動(dòng)化測(cè)試隱患

    F.快速通斷測(cè)試(OP_SH),排除損壞器件

    在半導(dǎo)體器件特性測(cè)試時(shí),由于半器件本身是損壞件,特別是多芯器件其中一個(gè)芯已經(jīng)損壞的情況下,測(cè)試雜散電容仍有可能被為合格,而半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通特性才是最重要的特性。

    因此,對(duì)于本身導(dǎo)通特性不良的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測(cè)試是沒(méi)有必要的,不僅僅浪費(fèi)了測(cè)量時(shí)間,同時(shí)會(huì)由于C-V合格而混雜在良品里,導(dǎo)致成品出貨后被退回帶來(lái)?yè)p失.

    TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀提供了快速通斷測(cè)試(OP_SH)功能,可用于直接判斷器件本身導(dǎo)通性能。

    G.模組式器件設(shè)置,支持定制

    針對(duì)模組式器件如雙路(Dual)MOSFET、多組式IGBT,有些器件會(huì)有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對(duì)此情況做了優(yōu)化,常見(jiàn)模組式芯片Demo已內(nèi)置,特殊芯片支持定制.

    image.png

     

    H.簡(jiǎn)單快捷設(shè)置

    I.10檔分選及可編程HANDLER接口

    J.支持定制化,智能固件升級(jí)方式

    同惠儀器對(duì)于客戶而言是開(kāi)放的,儀器所有接口、指令集均為開(kāi)放設(shè)計(jì),客戶可自行編程集成或進(jìn)行功能定制,定制功能若無(wú)硬件更改,可直接通過(guò)固件升級(jí)方式更新。

    儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級(jí)等,都可以通過(guò)升級(jí)固件(Firmware)來(lái)進(jìn)行更新,而無(wú)需返廠進(jìn)行。

    固件升級(jí)非常智能,可以通過(guò)系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進(jìn)行,智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤(pán)甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級(jí)包,并自動(dòng)進(jìn)行升級(jí)

    image.png

    K.技術(shù)解決Ciss、Coss、Crss、Rg產(chǎn)線/自動(dòng)化系統(tǒng)高速測(cè)試精度

    同惠電子在電容測(cè)試行業(yè)近30年的經(jīng)驗(yàn)積累,得以在產(chǎn)線、自動(dòng)化測(cè)試等高速高精度測(cè)試場(chǎng)合,都能保證電容、電阻等測(cè)試精度。

    常規(guī)產(chǎn)線測(cè)試,提供標(biāo)準(zhǔn)0米測(cè)試夾具,直插器件可直接插入進(jìn)行測(cè)試,Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度高

    image.png

    針對(duì)自動(dòng)化測(cè)試,由于自動(dòng)化設(shè)備測(cè)試工裝通常需要較長(zhǎng)連接線,大多自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)商在延長(zhǎng)測(cè)試線時(shí)會(huì)帶來(lái)很大的精度偏差,為此,同惠設(shè)計(jì)了2米延長(zhǎng)線并內(nèi)置了2米校準(zhǔn),保證Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度和0米測(cè)試夾具一致。

    L.半導(dǎo)體元件寄生電容知識(shí)

    在高頻電路中,半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會(huì)影響半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性,所以在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件時(shí)需要考慮下列因數(shù)

    在高頻電路設(shè)計(jì)中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來(lái)的影響;MOS管的寄生電容會(huì)影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅(qū)動(dòng)能力和開(kāi)關(guān)損耗等多方面特性;寄生電容的電壓依賴性在電路設(shè)計(jì)中也是至關(guān)重要,以MOSFET為例。

    M.標(biāo)配附件

    image.png

     

  • 應(yīng)用

  •  半導(dǎo)體元件/功率元件

    二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光

    電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析

     半導(dǎo)體材料

    晶圓切割、C-V特性分析

     液晶材料

    彈性常數(shù)分析

    電容元件

    電容器C-V特性測(cè)試及分析,電容式傳感器測(cè)試分析

  • 技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品型號(hào)

     

    TH511

    TH512

    TH513

    通道數(shù)

     

    2(可選配4/6通道)

     

    1

    顯示

    顯示器

     

    10.1英寸(對(duì)角線)電容觸摸屏

    比例

     

    16:9

    分辨率

     

    1280×RGB×800

    測(cè)量參數(shù)

     

    CissCoss、CrssRg,四參數(shù)任意選擇

    測(cè)試頻率

    范圍

     

    1kHz-2MHz

    精度

     

    0.01%

    分辨率

     

    10mHz                 1.00000kHz-9.99999kHz

    100mHz               10.0000kHz-99.9999kHz

    1Hz                      100.000kHz-999.999kHz

    10Hz                    1.00000MHz-2.00000MHz

    測(cè)試電平

    電壓范圍

     

    5mVrms-2Vrms

    準(zhǔn)確度

     

    ±10%×設(shè)定值+2mV

    分辨率

     

    1mVrms               5mVrms-1Vrms

    10mVrms             1Vrms-2Vrms

    VGS電壓

    范圍

     

    0 - ±40V

    準(zhǔn)確度

     

    1%×設(shè)定電壓+8mV

    分辨率

     

    1mV               0V - ±10V

    10mV             ±10V -±40V

    VDS電壓

    范圍

     

    0 - ±200V

     

    0 - ±1500V

    0 - ±3000V

    準(zhǔn)確度

     

    1%×設(shè)定電壓+100mV

    輸出阻抗

     

    100Ω±2%@1kHz

    數(shù)學(xué)運(yùn)算

     

    與標(biāo)稱值的絕對(duì)偏差Δ,與標(biāo)稱值的百分比偏差Δ%

    校準(zhǔn)功能

     

    開(kāi)路OPEN、短路SHORT、負(fù)載LOAD

    測(cè)量平均

     

    1-255

    AD轉(zhuǎn)換時(shí)間(ms/次)

     

    快速+0.56ms(5kHz) 快速:3.3ms 中速:90ms 慢速:220ms

    最高準(zhǔn)確度

     

    0.5%(具體參考說(shuō)明書(shū))

      CissCoss、Crss

     

    0.00001pF - 9.99999F

    Rg

     

    0.001mΩ - 99.9999MΩ

    Δ%

     

    ±0.000% - 999.9%

    多功能參數(shù)列表掃描

    點(diǎn)數(shù)

     

    50點(diǎn),每個(gè)點(diǎn)可設(shè)置平均數(shù),每個(gè)點(diǎn)可單獨(dú)分選

    參數(shù)

     

    測(cè)試頻率、Vg、Vd、通道

    觸發(fā)模式

     

    順序SEQ:當(dāng)一次觸發(fā)后,在所有掃描點(diǎn)測(cè)量,/EOM/INDEX只輸出一次

    步進(jìn)STEP:每次觸發(fā)執(zhí)行一個(gè)掃描點(diǎn)測(cè)量,每點(diǎn)均輸出/EOM/INDEX,但列表掃描比較器結(jié)果只在最后的/EOM才輸出

    圖形掃描

    掃描點(diǎn)數(shù)

     

    任意點(diǎn)可選,最多1001點(diǎn)

    結(jié)果顯示

     

    同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數(shù)多條曲線

    顯示范圍

     

    實(shí)時(shí)自動(dòng)、鎖定

    坐標(biāo)標(biāo)尺

     

    對(duì)數(shù)、線性

    掃描參數(shù)觸發(fā)方式

     

    VgVd

    單次

    手動(dòng)觸發(fā)一次,從起點(diǎn)到終點(diǎn)一次掃描完成,下個(gè)觸發(fā)信號(hào)啟動(dòng)新一次掃描

    連續(xù)

    從起點(diǎn)到終點(diǎn)無(wú)限次循環(huán)掃描

    結(jié)果保存

     

    圖形、文件